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Irradiacao de electroes MeV de Si heteroestruturas
Sonia Kaschieva
Irradiacao de electroes MeV de Si heteroestruturas
Sonia Kaschieva
Foi estudada a geração de defeitos de irradiação por irradiação electrónica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de óxidos. As alterações morfológicas do óxido de SiO2 durante a irradiação dos electrões do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ iões implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiação dos electrões MeV são apresentadas. A redistribuição dos átomos de oxigénio e silício e a geração de nanocristais de Si durante a irradiação dos electrões MeV foi observada pelas técnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ópticas, a fotoluminescência e os estudos espectroscópicos das películas de SiOx irradiadas com electrões MeV são também realizados.
Media | Boeken Paperback Book (Boek met zachte kaft en gelijmde rug) |
Vrijgegeven | 21 mei 2020 |
ISBN13 | 9786200995742 |
Uitgevers | Edicoes Nosso Conhecimento |
Pagina's | 172 |
Afmetingen | 152 × 229 × 10 mm · 258 g |
Taal en grammatica | Portugees |